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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD80460E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：44.7mΩ@8.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD80460E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：44.7mΩ@8.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD80460E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：44.7mΩ@8.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD80460E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：44.7mΩ@8.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD80460E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：44.7mΩ@8.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD80460E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：44.7mΩ@8.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD80460E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：44.7mΩ@8.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD80460E-GE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：42A
导通电阻：44.7mΩ@8.3A，10V
功率：65.2W
类型：N沟道
漏源电压：150V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：16nC@10V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：560pF@50V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：150V
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
类型：P沟道
栅极电荷：16nC@10V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：2.2A
输入电容：1130pF@75V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD80460E-GE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：42A
导通电阻：44.7mΩ@8.3A，10V
功率：65.2W
类型：N沟道
漏源电压：150V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：16nC@10V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：560pF@50V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD80460E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：44.7mΩ@8.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD80460E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：44.7mΩ@8.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD80460E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：44.7mΩ@8.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD80460E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：44.7mΩ@8.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD80460E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：44.7mΩ@8.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
