采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF6215
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@6.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2552
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：5A€37A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@16A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG80050E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6250pF@75V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP45N15V2
工作温度：-55℃~150℃
功率：220W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3030pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@22.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2572
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：4A€29A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3415PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@22A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP45N15V2
工作温度：-55℃~150℃
功率：220W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3030pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@22.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP075N15A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7350pF@75V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG80050E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6250pF@75V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75852G3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：480nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7690pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@75A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA46N15
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3250pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF6215
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@6.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：435，"22+"：900，"MI+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA90N15-F109
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8700pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2532
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：8A€79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3415PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@22A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP45N15V2
工作温度：-55℃~150℃
功率：220W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3030pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@22.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG80050E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6250pF@75V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG80050E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6250pF@75V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2572
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：4A€29A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：246，"MI+"：26}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75852G3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：480nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7690pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@75A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP075N15A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7350pF@75V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3415PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@22A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2546，"23+"：980，"24+"：1534}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF6215
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@6.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP42AN15A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3415PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@22A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP3415PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@22A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：432}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA90N15-F109
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8700pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP3415PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@22A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3415PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@22A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP075N15A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7350pF@75V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
