采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9Z24GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9Z24GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2428}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：752，"22+"：1878}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9Z24GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11NM50N
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：547pF@50V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9Z24GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11NM50N
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：547pF@50V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11NM50N
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：547pF@50V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9Z24GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9Z24GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9Z24GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2428}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
