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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA12N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N60E-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N60E-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF12N60C
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF12N60C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":623}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF12N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:51W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2290pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:226
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF12N60C
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF12N60C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":623}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF12N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:51W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2290pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订300个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订300个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":3340,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):166psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP12N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2290pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:300
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA12N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    导通电阻:380mΩ

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    导通电阻:380mΩ

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP12N60C
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP12N60C

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):166psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP12N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2290pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:166
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA12N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:2
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP12N60C
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP12N60C

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":3340,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):166psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP12N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2290pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:200
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N60E-GE3

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    功率:147W

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    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    导通电阻:380mΩ

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA12N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA12N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    导通电阻:380mΩ

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:1000
    ST Mosfet场效应管 STF16N60M2 起订250个装
    ST Mosfet场效应管 STF16N60M2 起订250个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF16N60M2

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@6A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订1000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订1000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":3340,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):166psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP12N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2290pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    导通电阻:380mΩ

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N60E-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):SIHA12N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    功率:33W

    输入电容:937pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):SIHP12N60E-GE3

    导通电阻:380mΩ

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:12A

    功率:147W

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    输入电容:937pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

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