采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP22N50APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：277W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3450pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB28N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP22N50APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：277W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3450pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP22N50APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：277W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3450pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP22N50APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：277W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3450pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP22N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：205W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1950pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP22N50APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：277W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3450pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP22N50APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：277W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3450pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH20N50E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2063pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：147mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH20N50E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2063pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：147mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH22N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：205W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1950pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH22N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：205W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1950pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：365}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCA22N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：205W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1950pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP22N50APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：277W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3450pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"01+"：1000，"03+"：1670，"04+"：1567}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP22N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH20N50E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2063pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：147mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"02+"：2400，"03+"：800，"04+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB22N06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW32NM50N
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：62.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1973pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP22N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：205W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1950pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB32NM50N
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：62.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1973pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
