采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9620pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB47P06TM-AM002
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：273nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5682pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SiHG47N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9620pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB47P06TM-AM002
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9620pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB47P06TM-AM002
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHW47N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9620pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4854pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：273nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5682pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9620pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9620pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：65，"19+"：85，"20+"：100，"MI+"：450}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH47N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：368W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6700pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9620pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：65，"19+"：85，"20+"：100，"MI+"：450}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH47N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：368W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6700pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9620pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB47P06TM-AM002
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH47N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：368W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6700pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9620pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9620pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9620pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4854pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9620pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB47P06TM-AM002
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9620pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHW47N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9620pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
