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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订11个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订11个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL024NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL024NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL024NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订1000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订2500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订5个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL024NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2.8A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

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    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订1000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL024NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL024NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL024NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5N60CTM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@1.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订8个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订8个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL024NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    栅极电荷:42nC@10V

    连续漏极电流:2.8A

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    输入电容:1190pF@50V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    功率:3.1W€5.9W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL024NTRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:400pF@25V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2.8A

    漏源电压:55V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18.3nC@10V

    功率:1W

    导通电阻:75mΩ@2.8A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL024NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL024NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL024NTRPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL024NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

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