品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1015pF@25V
导通电阻:46mΩ@10A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:1.88W€60W
栅极电荷:30nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STP100N6F7
输入电容:1980pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H009SPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
连续漏极电流:14A€86A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:2085pF@50V
功率:1.6W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86380-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
导通电阻:13.4mΩ@50A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86380-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF100N6F7
输入电容:1980pF@25V
导通电阻:5.6mΩ@23A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:25W
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
连续漏极电流:46A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF100N6F7
输入电容:1980pF@25V
导通电阻:5.6mΩ@23A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:25W
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
连续漏极电流:46A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86380-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
导通电阻:13.4mΩ@50A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB100N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3698}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H009SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.6W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€86A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":2765}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD18N06-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€55W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3698}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF100N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: