采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU3N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：565pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU3N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：565pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3N60CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN2NF10
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：14nC@10V
类型：N沟道
功率：3.3W
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
输入电容：280pF@25V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：100V
连续漏极电流：2.4A
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规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQD3N60CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：STN2NF10
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功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：STN2NF10
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功率：3.3W
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栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
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导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
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栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
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栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN2NF10
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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