采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF634PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：8.1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI634GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@3.4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM8N80CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1921pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI634GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@3.4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF634PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：8.1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：970，"21+"：26000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI50N06TU
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1540pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP24NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP24NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP24NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1103}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI50N06TU
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1540pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF634PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：8.1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP24NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI50N06TU
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1540pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH1N250
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：40Ω@750mA，10V
漏源电压：2500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP24NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI634GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@3.4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM8N80CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1921pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：970，"21+"：26000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI50N06TU
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1540pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM8N80CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1921pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF634PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：8.1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP24NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH1N250
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：40Ω@750mA，10V
漏源电压：2500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP24NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP24NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM8N80CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1921pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：970，"21+"：26000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI50N06TU
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1540pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF634PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：8.1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP50N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1540pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP24NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI50N06TU
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1540pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
