品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1532,"22+":1796,"23+":3287,"MI+":1938}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1532,"22+":1796,"23+":3287,"MI+":1938}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1532,"22+":1796,"23+":3287,"MI+":1938}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1532,"22+":1796,"23+":3287,"MI+":1938}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBLS0D5N04M8TXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.57mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2839,"22+":652}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBLS0D5N04M8TXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.57mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP300N04T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:480W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10700pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@500mA,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP300N04T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:480W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
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连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@500mA,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP300N04T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:480W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10700pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@500mA,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2839,"22+":652}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBLS0D5N04M8TXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.57mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBLS0D5N04M8TXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.57mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IXTP300N04T2
连续漏极电流:300A
漏源电压:40V
导通电阻:2.5mΩ@500mA,10V
栅极电荷:145nC@10V
类型:N沟道
输入电容:10700pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:480W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBLS0D5N04M8TXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.57mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBLS0D5N04M8TXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.57mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP300N04T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:480W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10700pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@500mA,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBLS0D5N04M8TXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.57mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: