采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL260N4F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2400，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8443
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9310pF@25V
连续漏极电流：25A€120A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6410ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP085N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2695pF@50V
连续漏极电流：96A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@96A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL260N4F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2400，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8443
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9310pF@25V
连续漏极电流：25A€120A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL225N6F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL260N4F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8443
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9310pF@25V
连续漏极电流：25A€120A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8443
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9310pF@25V
连续漏极电流：25A€120A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6410ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6410ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP085N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2695pF@50V
连续漏极电流：96A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@96A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：97，"19+"：68，"21+"：5，"22+"：32，"9999"：84}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6410ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL260N4F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6410ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL225N6F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL260N4F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6410ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6410ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2400，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8443
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9310pF@25V
连续漏极电流：25A€120A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP085N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2695pF@50V
连续漏极电流：96A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@96A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL225N6F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2400，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8443
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9310pF@25V
连续漏极电流：25A€120A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP085N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2695pF@50V
连续漏极电流：96A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@96A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL260N4F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
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输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL225N6F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6410ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL260N4F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6410ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
