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    阈值电压: 4V@250µA
    类型: N沟道
    功率: 188W
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:30+
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    ST Mosfet场效应管 STL260N4F7 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STL260N4F7 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL260N4F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@24A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8443 起订171个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8443 起订171个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2400,"MI+":1600}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB8443

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9310pF@25V

    连续漏极电流:25A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL260N4F7 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STL260N4F7 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL260N4F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@24A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8443 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8443 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2400,"MI+":1600}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB8443

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9310pF@25V

    连续漏极电流:25A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL225N6F7AG 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STL225N6F7AG 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL225N6F7AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6500pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL260N4F7 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STL260N4F7 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL260N4F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@24A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8443 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8443 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB8443

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9310pF@25V

    连续漏极电流:25A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8443 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8443 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB8443

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9310pF@25V

    连续漏极电流:25A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6410ANT4G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6410ANT4G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6410ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@76A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6410ANT4G 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6410ANT4G 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6410ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@76A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL260N4F7 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL260N4F7 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL260N4F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@24A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6410ANT4G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6410ANT4G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6410ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@76A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL225N6F7AG 起订3000个装
    ST Mosfet场效应管 STL225N6F7AG 起订3000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL225N6F7AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6500pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ST Mosfet场效应管 STL260N4F7 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STL260N4F7 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL260N4F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@24A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6410ANT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6410ANT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6410ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@76A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6410ANT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6410ANT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6410ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@76A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8443 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8443 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2400,"MI+":1600}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB8443

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:185nC@10V

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    输入电容:9310pF@25V

    连续漏极电流:25A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL225N6F7AG 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STL225N6F7AG 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL225N6F7AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6500pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8443 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8443 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2400,"MI+":1600}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB8443

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9310pF@25V

    连续漏极电流:25A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL260N4F7 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STL260N4F7 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL260N4F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@24A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ST Mosfet场效应管 STL225N6F7AG 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STL225N6F7AG 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL225N6F7AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6500pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6410ANT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6410ANT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6410ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@76A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL260N4F7 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STL260N4F7 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL260N4F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@24A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6410ANT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6410ANT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6410ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@76A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL225N6F7AG 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STL225N6F7AG 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL225N6F7AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6500pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8443 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8443 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB8443

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9310pF@25V

    连续漏极电流:25A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6410ANT4G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6410ANT4G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):NTB6410ANT4G

    功率:188W

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    连续漏极电流:76A

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:13mΩ@76A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:4500pF@25V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL225N6F7AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL225N6F7AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL225N6F7AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6500pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL225N6F7AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL225N6F7AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL225N6F7AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6500pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL260N4F7 起订3000个装
    ST Mosfet场效应管 STL260N4F7 起订3000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL260N4F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@24A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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