销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:188pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.65A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:188pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.65A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:188pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.65A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:188pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.65A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3N60CTM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NM60N
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:50W
导通电阻:1.8Ω@1.65A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:188pF@50V
漏源电压:600V
栅极电荷:9.5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3N60CTM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:188pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.65A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:188pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.65A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: