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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP24N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1836pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1836pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1836pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB21N65EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2322pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP17N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2408pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1889pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1889pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1836pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1889pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP17N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2408pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB17N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2408pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG21N65EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2322pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP24N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1836pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1889pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB21N65EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2322pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1889pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1836pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB17N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2408pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB21N65EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2322pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP24N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1836pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB17N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2408pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG21N65EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2322pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1836pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1836pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1889pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP24N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1836pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG21N65EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2322pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP24N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1836pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP24N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1836pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB21N65EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2322pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
