品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800150DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8205pF@75V
连续漏极电流:15A€99A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"22+":5487,"MI+":2406}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC2512-P
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:344pF@75V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:425mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS72DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@75V
连续漏极电流:7A€25.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@50V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@7.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@75V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:34.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS72DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@75V
连续漏极电流:7A€25.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@5.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@5.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@75V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:34.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86263P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3905pF@75V
连续漏极电流:4.4A€22A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2715pF@75V
连续漏极电流:9.6A€35A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@75V
连续漏极电流:4.5A€27A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@75V
连续漏极电流:37A
类型:P沟道
导通电阻:47.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@50V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS72DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@75V
连续漏极电流:7A€25.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2955pF@75V
连续漏极电流:9.3A€28A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1191,"23+":81}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86260
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€54W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@75V
连续漏极电流:5.4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@5.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP45N15V2
工作温度:-55℃~150℃
功率:220W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3030pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@22.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3440ADV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@75V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@1.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR5710DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.8A€26.8A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5710DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.2A€26.2A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1600,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0630N1507L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9895pF@75V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7818DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@3.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP45N15V2
工作温度:-55℃~150℃
功率:220W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3030pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@22.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86250
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2330pF@75V
连续漏极电流:6.7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: