采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP25N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1980pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG25N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1980pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA25N50E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1980pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB25N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1980pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG25N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1980pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP25N50E-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1980pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@75V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA25N50E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1980pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA25N50E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1980pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB25N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1980pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB25N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1980pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@75V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@75V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@75V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@75V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP25N50E-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1980pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI33N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
