采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW75NF20
工作温度：-50℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3260pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@37A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7115DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：8.9A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7115DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：8.9A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：270mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7315DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@75V
连续漏极电流：8.9A
类型：P沟道
导通电阻：315mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250µA
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输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：270mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：760mW€2.5W
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输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：270mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
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库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW75NF20
工作温度：-50℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3260pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@37A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
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功率：3.7W€52W
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连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250µA
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连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：270mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：17nC@10V
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连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：270mΩ@1.2A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW75NF20
工作温度：-50℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3260pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@37A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
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输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：270mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7315DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52W
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输入电容：880pF@75V
连续漏极电流：8.9A
类型：P沟道
导通电阻：315mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：760mW€2.5W
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类型：P沟道
导通电阻：270mΩ@1.2A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
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功率：3.7W€52W
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导通电阻：1.05Ω@1A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
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输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
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输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@40V
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类型：P沟道
导通电阻：270mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250µA
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输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：270mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：270mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：270mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7115DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：8.9A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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