品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60Z
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:6W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@400V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":11490,"10+":2950,"11+":18000,"12+":9000,"14+":942,"9999":500,"MI+":13000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF04N60ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60Z-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":25185,"12+":3000,"13+":675,"14+":326825,"15+":75,"18+":13350,"9999":75}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD02N60Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:管件
输入电容:274pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":45500,"13+":33100}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF03N60ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60Z
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2LN60K3-AP
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60ZFP
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60Z-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60ZFP
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP3NK60ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@400V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2HNK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60ZFP
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2HNK60Z-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":821100,"15+":800,"16+":4500,"9999":1100}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF02N60ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:325pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2LN60K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1223
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD04N60ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:6W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@400V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":821100,"15+":800,"16+":4500,"9999":1100}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF02N60ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:325pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60ZFP
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":35949,"12+":29297,"13+":13783,"14+":33100,"15+":1649,"16+":5000,"17+":150,"18+":16000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF04N60ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP2NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@700mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: