采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：45500，"13+"：33100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF03N60ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF03N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：50，"16+"：3500，"MI+"：972}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF03N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：45500，"13+"：33100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF03N60ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"13+"：50，"16+"：3500，"MI+"：972}
规格型号(MPN)：NDF03N60ZG
栅极电荷：18nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：3.1A
阈值电压：4.5V@50µA
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
输入电容：372pF@25V
包装方式：管件
功率：27W
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@1.25A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
