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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：7050，"9999"：284}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF04N62ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI4N62K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.9A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5N62K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@2.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF5N62K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：680pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@2.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF04N62ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF5N62K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：680pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@2.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI4N62K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.9A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI4N62K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.9A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI4N62K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.9A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF5N62K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：680pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@2.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：7050，"9999"：284}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF04N62ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF04N62ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：NDF04N62ZG
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：620V
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：19nC@10V
导通电阻：2Ω@2A，10V
功率：28W
输入电容：535pF@25V
包装方式：管件
连续漏极电流：4.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5N62K3
连续漏极电流：4.2A
导通电阻：1.6Ω@2.1A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：620V
输入电容：680pF@50V
类型：N沟道
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF5N62K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：680pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@2.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF5N62K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：680pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@2.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF5N62K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：680pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@2.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF5N62K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：680pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@2.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF5N62K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：680pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@2.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF5N62K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：680pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@2.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
