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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
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功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
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功率：6W
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栅极电荷：6nC@10V
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输入电容：230pF@400V
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类型：N沟道
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输入电容：230pF@400V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
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类型：N沟道
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功率：6W
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栅极电荷：6nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
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功率：6W
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栅极电荷：6nC@10V
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输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
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栅极电荷：6nC@10V
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输入电容：230pF@400V
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类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
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输入电容：230pF@400V
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类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
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功率：6W
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ECCN：EAR99
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输入电容：230pF@400V
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类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
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功率：26W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
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类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
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功率：6W
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类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
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功率：6W
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
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功率：26W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
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输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
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连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3250，"22+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
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栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
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栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
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栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3250，"22+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
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类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
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类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
功率：26W
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6nC@10V
连续漏极电流：4.7A
漏源电压：600V
工作温度：-40℃~150℃
ECCN：EAR99
导通电阻：1Ω@1A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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