采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1475，"12+"：18761}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：329pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1475，"12+"：18761}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：329pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD02N60ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：329pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：1000V
功率：70W
输入电容：499pF@25V
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
连续漏极电流：1.85A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：1000V
功率：70W
输入电容：499pF@25V
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
连续漏极电流：1.85A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：329pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
