销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.25A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.25A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.25A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:575pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:575pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.25A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.25A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:575pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.25A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.25A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2497,"14+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N80ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.25A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:575pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.25A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.25A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: