采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3400SDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@15V
连续漏极电流：650mA€450mA
类型：N和P沟道
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N-Channel
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3400SDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@15V
连续漏极电流：650mA€450mA
类型：N和P沟道
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4800LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.46W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：8.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"15+"：7495，"9999"：192}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17311Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3401LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：46nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4800LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.46W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：8.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4800LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.46W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：9.47nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：8.6A
类型：N-Channel
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17311Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3400SDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@15V
连续漏极电流：650mA€450mA
类型：N和P沟道
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3401LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3400SDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@15V
连续漏极电流：650mA€450mA
类型：N和P沟道
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3400SDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@15V
连续漏极电流：650mA€450mA
类型：N和P沟道
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17306Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：15.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@15V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@22A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：46nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17311Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N-Channel
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N-Channel
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N-Channel
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17306Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：15.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@15V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@22A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17305Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：18.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@15V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17311Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17311Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N-Channel
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
