品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BKVL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@350mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.46W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:8.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:8.6A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BK,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€1.14W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@350mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":7495,"9999":192}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17311Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.46W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:8.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:8.6A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4800LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.46W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:9.47nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BKW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@320mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17311Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BKW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@320mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17306Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:15.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2170pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@22A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.71W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17311Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS176LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1660pF@35V
连续漏极电流:12.9A€42.3A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@10A,4.5V
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BKW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@320mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BK,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€1.14W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@350mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BK,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€1.14W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@350mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17306Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:15.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2170pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@22A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17305Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:18.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17311Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BKW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@320mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BK,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€1.14W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@350mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17311Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BKW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@320mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):369psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17303Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17306Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2170pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@22A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.46W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:8.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:8.6A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BKW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@320mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.46W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:8.6A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BK,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€1.14W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@350mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: