采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40014EM_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15525pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM60N20-35_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM10250E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@15A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM50028EM_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM60N20-35_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM35N30-97_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5650pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：97mΩ@10A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM90142E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@25V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：15.3mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120N10-3M8_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM10250E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@15A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQP120N10-09_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8645pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120N10-3M8_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM90142E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@25V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：15.3mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM10250E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@15A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM10250E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@15A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM10250E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@15A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM60N20-35_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM35N30-97_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5650pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：97mΩ@10A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM35N30-97_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5650pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：97mΩ@10A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120N10-3M8_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM90142E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@25V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：15.3mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM90142E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@25V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：15.3mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM90142E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@25V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：15.3mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM60N20-35_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM50028EM_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120N10-3M8_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM90142E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@25V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：15.3mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120N10-3M8_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM35N30-97_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5650pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：97mΩ@10A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40014EM_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15525pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM60N20-35_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
