品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:213mΩ@1A,4V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:305mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:305mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@75V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.095Ω@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:305mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2325ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:840mA
类型:P沟道
导通电阻:1.77Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:213mΩ@1A,4V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:213mΩ@1A,4V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@75V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.095Ω@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:305mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6035pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@12.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2325ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:840mA
类型:P沟道
导通电阻:1.77Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:213mΩ@1A,4V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:213mΩ@1A,4V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@75V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.095Ω@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6035pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@12.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6035pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@12.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6035pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@12.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@75V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.095Ω@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2325ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:840mA
类型:P沟道
导通电阻:1.77Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@75V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.095Ω@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:213mΩ@1A,4V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6035pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@12.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:305mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:213mΩ@1A,4V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2325ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:840mA
类型:P沟道
导通电阻:1.77Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:213mΩ@1A,4V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2325ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:840mA
类型:P沟道
导通电阻:1.77Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@75V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.095Ω@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:213mΩ@1A,4V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: