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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ872EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1045pF@25V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR872DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@75V
连续漏极电流：53.7A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ872EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1045pF@25V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ872EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1045pF@25V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA446DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@75V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：177mΩ@3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB2500L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6460pF@75V
连续漏极电流：11.5A€152A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ872EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1045pF@25V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA446DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@75V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：177mΩ@3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ872EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1045pF@25V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA446DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@75V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：177mΩ@3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR872DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@75V
连续漏极电流：53.7A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR872DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@75V
连续漏极电流：53.7A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT2500L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6460pF@75V
连续漏极电流：11.5A€152A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA446DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@75V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：177mΩ@3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA446DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@75V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：177mΩ@3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT2500L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6460pF@75V
连续漏极电流：11.5A€152A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ872EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1045pF@25V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ872EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1045pF@25V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA446DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@75V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：177mΩ@3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ872EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1045pF@25V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ872EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1045pF@25V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR872DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@75V
连续漏极电流：53.7A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ872EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1045pF@25V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ872EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1045pF@25V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ872EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1045pF@25V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
