品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14780pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€128W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@25V
连续漏极电流:41A€235A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM40014EM_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15525pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ146EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C456NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€55W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:20A€80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ142E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6975pF@25V
连续漏极电流:460A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS140ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:197W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3111pF@25V
连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:2.53mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:46A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ146EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMIX1T600N04T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:830W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:590nC@10V
包装方式:管件
输入电容:40000pF@25V
连续漏极电流:600A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS140ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:197W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3111pF@25V
连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:2.53mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ142E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6975pF@25V
连续漏极电流:460A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C456NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€55W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:20A€80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA36EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6636pF@25V
连续漏极电流:350A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3855pF@25V
连续漏极电流:266A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:50A€316A
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C456NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€55W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:20A€80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€128W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@25V
连续漏极电流:41A€235A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14780pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:7.35mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:7.35mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ142EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:191W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2650pF@25V
连续漏极电流:167A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:7.35mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ144AER-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9020pF@25V
连续漏极电流:575A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:7.35mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ146EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: