采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD240N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD240N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD240N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD240N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD240N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD240N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD240N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU12N20TU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD240N60E-GE3
输入电容：783pF@100V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
功率：78W
连续漏极电流：12A
栅极电荷：23nC@10V
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
包装方式：管件
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：370，"19+"：0}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU12N20TU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20TM
输入电容：910pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
栅极电荷：23nC@10V
功率：2.5W€55W
连续漏极电流：9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20TM
输入电容：910pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
栅极电荷：23nC@10V
功率：2.5W€55W
连续漏极电流：9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
