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    类型: N沟道
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    当前匹配商品:90+
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    IXYS Mosfet场效应管 IXFP12N65X2M 起订3个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP12N65X2M 起订3个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP12N65X2M

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:18.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1134pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:310mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF12N60NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF12N60NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF12N60NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1676pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD16N65M5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STD16N65M5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16N65M5

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD240N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD240N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD240N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:783pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD16N65M5 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD16N65M5 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16N65M5

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP12N65X2 起订100个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP12N65X2 起订100个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP12N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:180W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1134pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:310mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOWF12T60P 起订50个装
    AOS Mosfet场效应管 AOWF12T60P 起订50个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOWF12T60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2028pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF12N60NZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF12N60NZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF12N60NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1676pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD16N65M5 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD16N65M5 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16N65M5

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD240N60E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD240N60E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD240N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:783pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD240N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD240N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD240N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:783pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF13N50FT 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF13N50FT 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":18901,"21+":283,"MI+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF13N50FT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1930pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF16N65M5 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STF16N65M5 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF16N65M5

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1250pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N50C-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N50C-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N50C-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1375pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:555mΩ@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N50C-E3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N50C-E3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N50C-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1375pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:555mΩ@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF16N65M5 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STF16N65M5 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF16N65M5

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1250pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD16N65M5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD16N65M5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16N65M5

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP16N65M5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP16N65M5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP16N65M5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1250pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N50C-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N50C-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N50C-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1375pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:555mΩ@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD240N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD240N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD240N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:783pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF16N65M5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF16N65M5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF16N65M5

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1250pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF13N50FT 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF13N50FT 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF13N50FT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1930pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP18N60DM2 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STP18N60DM2 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF12N50C-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF12N50C-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF12N50C-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1375pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:555mΩ@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF12N50C-E3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF12N50C-E3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF12N50C-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1375pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:555mΩ@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD240N60E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD240N60E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD240N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:783pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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