采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1345pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1434pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1345pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1434pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1434pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1345pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1345pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1345pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1345pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1345pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STP20N65M5
导通电阻：190mΩ@9A，10V
连续漏极电流：18A
栅极电荷：45nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：650V
包装方式：管件
输入电容：1345pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1345pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1345pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1345pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1345pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1434pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1345pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1345pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
