采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL33N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL33N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11NM80T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL33N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB23NM60ND
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@50V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL33N60DM2
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：21A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
功率：150W
栅极电荷：43nC@10V
漏源电压：600V
输入电容：1870pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB31N65M5
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1865pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：148mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL33N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60DM2
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
功率：150W
输入电容：1055pF@100V
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
