首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    阈值电压
    包装方式
    行业应用
    阈值电压: 5V@250µA
    包装方式: 管件
    当前匹配商品:4300+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG14N50D-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG14N50D-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG14N50D-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1144pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW36NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:80.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2785pF@50V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@9,5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP11NM60 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP11NM60 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP11NM60

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:160W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4212H-117PXKMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4212H-117PXKMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI4212H-117PXKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:18W

    阈值电压:5V@250µA

    包装方式:管件

    输入电容:490pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:72.5mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH3N200P3HV 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH3N200P3HV 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH3N200P3HV

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1860pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@1.5A,10V

    漏源电压:2000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT24P20 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT24P20 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTT24P20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4200pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@500mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP52N20 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP52N20 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP52N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@26A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP4768PBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP4768PBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP4768PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:520W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10880pF@50V

    连续漏极电流:93A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.5mΩ@56A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP20N50F 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP20N50F 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP57N65M5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP57N65M5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP57N65M5

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4200pF@100V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@21A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF10N40D-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF10N40D-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF10N40D-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:526pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@5A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP2710 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP2710 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP2710

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:101nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7280pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:42.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4227PBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4227PBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI4227PBF

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4600pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@17A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1118pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:201mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N90CT 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N90CT 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF9N90CT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2730pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@4A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY4N65X2 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY4N65X2 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTY4N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:80W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT2N300P3HV 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT2N300P3HV 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTT2N300P3HV

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:520W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:73nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1890pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:21Ω@1A,10V

    漏源电压:3000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH041N60F 起订150个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH041N60F 起订150个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH041N60F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:595W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:360nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14365pF@100V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@38A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF20N50FT 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF20N50FT 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF20N50FT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP4229PBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP4229PBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP4229PBF

    工作温度:-40℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4560pF@25V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@26A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4127PBF 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4127PBF 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB4127PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5380pF@50V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@44A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG080N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG080N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG080N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP6N40D-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:311pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG16N50C-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG16N50C-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG16N50C-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW20NM60

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP4N80 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP4N80 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP4N80

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:130W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1.95A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA24N40F 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA24N40F 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA24N40F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:235W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3030pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDL100N50F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDL100N50F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDL100N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2500W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:238nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12000pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@50A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH041N60F-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH041N60F-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH041N60F-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:595W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:347nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10900pF@25V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@38A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧