品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA11N90C-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3290pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@5.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA11N90C-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3290pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@5.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA11N90C-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3290pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@5.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQAF11N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:120W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3290pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@3.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF25NM60ND
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@50V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@10.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF25NM60ND
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@50V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@10.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQAF11N90C
输入电容:3290pF@25V
漏源电压:900V
栅极电荷:80nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:120W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
导通电阻:1.1Ω@3.5A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF25NM60ND
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@50V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@10.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF25NM60ND
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@50V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@10.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF25NM60ND
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@50V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@10.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: