采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW28N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：609}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP15N40
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@7.5A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW28N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP17N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：866pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP22N30
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FQP22N30
栅极电荷：60nC@10V
连续漏极电流：21A
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
输入电容：2200pF@25V
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
包装方式：管件
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP22N30
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP22N30
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP22N30
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP13N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@6.25A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP13N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@6.25A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP22N30
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP12N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1235pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@5.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP13N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@6.25A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP13N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@6.25A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP15N40
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@7.5A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP12N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1235pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@5.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP17N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：866pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP15N40
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@7.5A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP12N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1235pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@5.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP17N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：866pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
