采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7280pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP50N20P
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2720pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@50A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH50P10
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
输入电容：4350pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP50N20P
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2720pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@50A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA50N20P
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2720pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@50A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ50N20P
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2720pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@50A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ50N20P
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2720pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@50A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW56N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP50N20P
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2720pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@50A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ50N20P
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2720pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@50A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ50N20P
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2720pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@50A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT50P10
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4350pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH50P10
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
输入电容：4350pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW56N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP50N20P
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2720pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@50A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ50N20P
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2720pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@50A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW56N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7280pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA50N20P
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2720pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@50A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA50N20P-TRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2720pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP50N20P
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2720pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@50A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7280pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP50N20P
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2720pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@50A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7280pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2710
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7280pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
