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    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2P40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.56A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5Ω@780mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH11P50 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH11P50 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH11P50

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    输入电容:4700pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:750mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT24P20 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT24P20 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTT24P20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4200pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@500mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMC2523P 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMC2523P 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC2523P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD7P20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€55W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:690mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD7P20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€55W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:690mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB12P20TM 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB12P20TM 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB12P20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€120W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:470mΩ@5.75A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD7P20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€55W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:690mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF6218STRL 起订246个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF6218STRL 起订246个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":34667}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF6218STRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2210pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@16A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMC2523P 起订5个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMC2523P 起订5个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC2523P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD7P20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€55W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:690mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH10P60 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH10P60 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH10P60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:4700pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF5P20 起订665个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF5P20 起订665个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":895,"22+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF5P20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@1.7A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6218PBF 起订321个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6218PBF 起订321个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1216,"21+":3488}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF6218PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2210pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@16A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9Ω@1.05A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6216PBF 起订23个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6216PBF 起订23个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1812

    包装规格(MPQ):95psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF6216PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1280pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:240mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD7P20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€55W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:690mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH50P10 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH50P10 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH50P10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    输入电容:4350pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2P40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.56A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5Ω@780mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7P20 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7P20 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:08+

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF7P20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:690mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT8P50 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT8P50 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTT8P50

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:180W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2P40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.56A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5Ω@780mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP45H21DHE-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP45H21DHE-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP45H21DHE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:4.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1003pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:21Ω@300mA,10V

    漏源电压:450V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2P40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.56A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5Ω@780mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD7P20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€55W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:690mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP45H21DHE-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP45H21DHE-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP45H21DHE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:4.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1003pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:21Ω@300mA,10V

    漏源电压:450V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2P40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.56A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5Ω@780mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2P40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.56A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5Ω@780mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP45H4D9HK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP45H4D9HK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP45H4D9HK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:564pF@25V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9Ω@1.05A,10V

    漏源电压:450V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP45H4D9HK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP45H4D9HK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP45H4D9HK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:564pF@25V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9Ω@1.05A,10V

    漏源电压:450V

    包装清单:商品主体 * 1

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