品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB18N60DM2
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NM80
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@3.25A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N65M5
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB18N60DM2
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB18N60DM2
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N65M5
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60ND
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N65M5
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N65M5
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP16N65M5
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1250pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60ND
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP18N60DM2
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB18N60DM2
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB18N60DM2
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N65M5
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N65M5
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N65M5
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N65M5
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60ND
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N65M5
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB18N60DM2
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP50N20PM
工作温度:-55℃~175℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2720pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP50N20PM
工作温度:-55℃~175℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2720pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDU7N60NZTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.25Ω@2.75A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8N50NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3.25A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NM80
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@3.25A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N65M5
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60ND
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60ND
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB18N60DM2
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: