采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：[]
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：6.3Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：6.3Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：816pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11N65M5
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：644pF@100V
类型：N沟道
漏源电压：650V
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
连续漏极电流：9A
功率：85W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STP11N65M5
工作温度：150℃
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：644pF@100V
类型：N沟道
漏源电压：650V
包装方式：管件
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
连续漏极电流：9A
功率：85W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：6.3Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
