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    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    功率: 40W
    当前匹配商品:30+
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    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF43N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP12N65X2M
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP12N65X2M

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP12N65X2M

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:18.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1134pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:310mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STF35N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STF35N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF35N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8N50NZU
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8N50NZU

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":21000,"MI+":2000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF8N50NZU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:735pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:345
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50TM-WS
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50TM-WS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8N50NZU
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8N50NZU

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":21000,"MI+":2000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF8N50NZU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:735pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF43N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STF35N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STF35N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF35N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    加购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50TM-WS
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50TM-WS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8N50NZU
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8N50NZU

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":21000,"MI+":2000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF8N50NZU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:735pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50FTM-WS
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50FTM-WS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50FTM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.55Ω@1.75A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50TM-WS
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50TM-WS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ST Mosfet场效应管 STF35N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STF35N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF35N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    加购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N50NZTM
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N50NZTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3N50NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@1.25A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50UTM-WS
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50UTM-WS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":4515}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50UTM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:336
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50TM-WS
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50TM-WS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:879
    ST Mosfet场效应管 STF35N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STF35N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF35N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP12N65X2M 起订100个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP12N65X2M 起订100个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP12N65X2M

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1134pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:310mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP12N65X2M 起订50个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP12N65X2M 起订50个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP12N65X2M

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1134pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:310mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF43N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8N50NZU
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8N50NZU

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":21000,"MI+":2000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF8N50NZU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:735pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8N50NZU
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8N50NZU

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF8N50NZU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:735pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50TM-WS
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50TM-WS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:879
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8N50NZU
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8N50NZU

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF8N50NZU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:735pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8N50NZU
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8N50NZU

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF8N50NZU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:735pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50FTM-WS
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50FTM-WS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50FTM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.55Ω@1.75A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:606
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP12N65X2M
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP12N65X2M

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP12N65X2M

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1134pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:310mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N50NZTM
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N50NZTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3N50NZTM

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8nC@10V

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@1.25A,10V

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50TM-WS
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50TM-WS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    输入电容:640pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@2A,10V

    栅极电荷:15nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):STF43N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:34A

    包装方式:管件

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    栅极电荷:56nC@10V

    漏源电压:600V

    输入电容:2500pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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