采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：22545，"07+"：39000，"08+"：290345，"12+"：1333}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4160NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：22545，"07+"：39000，"08+"：290345，"12+"：1333}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4160NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：250mA
阈值电压：2.4V@250µA
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
类型：P沟道
功率：300mW
栅极电荷：1.2nC@10V
输入电容：51.16pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：250mA
阈值电压：2.4V@250µA
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
类型：P沟道
功率：300mW
栅极电荷：1.2nC@10V
输入电容：51.16pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4160NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：2.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
