品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA52DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:150nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7150pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1873pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1873pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA462DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:29.8W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA28BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:582pF@15V
连续漏极电流:18A€38A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1873pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC16DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:54.3W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:0.96mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2071pF@15V
连续漏极电流:25.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA74DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€46.2W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:24A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2071pF@15V
连续漏极电流:25.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA468DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@15V
连续漏极电流:37.8A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:14.7W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:30.6A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA72DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3240pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA74DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€46.2W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:24A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:3.99mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA10BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€43W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:36.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@15V
连续漏极电流:30A€60A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS10ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3030pF@20V
连续漏极电流:31.7A€109A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA88DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:25.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@15V
连续漏极电流:16.2A€40.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:38.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS472ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6.5W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730pF@15V
连续漏极电流:30.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR466DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH892BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€29W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@50V
连续漏极电流:6.8A€20A
类型:N沟道
导通电阻:30.4Ω@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS10ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3030pF@20V
连续漏极电流:31.7A€109A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA52ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€48W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@20V
连续漏极电流:41.6A€131A
类型:N沟道
导通电阻:1.63mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1873pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4186DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3630pF@10V
连续漏极电流:35.8A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6.5W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730pF@15V
连续漏极电流:30.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: