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    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD402ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD402ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD402ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:1.2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:730mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD402ED-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD402ED-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD402ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:1.2nC@8V

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    输入电容:16pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:730mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD403ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD403ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD403ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

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    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.25Ω@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD403ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD403ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD403ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

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    输入电容:31pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.25Ω@300mA,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD403ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD403ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD403ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

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    类型:P沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:9
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD403ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD403ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD403ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

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    输入电容:31pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.25Ω@300mA,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    起购:11
    MCC Mosfet场效应管 SI2301A-TP 起订59个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2301A-TP 起订59个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

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    输入电容:880pF@6V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:59
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD403ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD403ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD403ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:31pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.25Ω@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD402ED-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD402ED-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD402ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:1.2nC@8V

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    输入电容:16pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:730mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD403ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD403ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD403ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:31pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.25Ω@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD402ED-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD402ED-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD402ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:1.2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:730mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD403ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD403ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD403ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:31pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.25Ω@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD403ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD403ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD403ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:31pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.25Ω@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD403ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD403ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD403ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:31pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.25Ω@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    MCC Mosfet场效应管 SI2301A-TP 起订6个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2301A-TP 起订6个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:14.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@6V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    MCC Mosfet场效应管 SI2301A-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2301A-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:14.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@6V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD402ED-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD402ED-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD402ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:1.2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:730mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD403ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD403ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD403ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:31pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.25Ω@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD403ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD403ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD403ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:31pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.25Ω@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
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