销售单位:个
规格型号(MPN):AO4453
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020UFCL-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:21.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1788pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020UFCL-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:21.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1788pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020UFCL-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:21.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1788pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020UFCL-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:21.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1788pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020UFCL-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:21.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1788pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020UFCL-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:21.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1788pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4453
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4453
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4453
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020UFCL-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:21.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1788pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":288000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB10XNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2175pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB10XNEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2175pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020UFCL-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:21.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1788pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB10XNEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2175pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":336000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB10XNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2175pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4453
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB10XNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2175pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB10XNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2175pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB10XNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2175pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: