采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J340R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J340R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J340R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J340R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J340R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J340R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J340R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J340R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J340R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J340R，LF
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
漏源电压：30V
工作温度：150℃
导通电阻：45mΩ@4A，10V
输入电容：492pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：2.2V@250µA
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051LDM-7
导通电阻：38mΩ@6A，10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8.6nC@10V
类型：N沟道
输入电容：424pF@5V
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J340R，LF
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
漏源电压：30V
工作温度：150℃
导通电阻：45mΩ@4A，10V
输入电容：492pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：2.2V@250µA
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
