品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF8309S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF8309S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF8309S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF8309S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA35DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€24W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:10A€16A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO080P03SHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2085LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3490pF@15V
连续漏极电流:22.4A€60A
类型:P沟道
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2085LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO080P03SHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425FDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€4.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1620pF@15V
连续漏极电流:12.7A€18.3A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA441DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@4.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTS21311C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA483DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2085LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA483DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSN21319C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:6.4A€8A
类型:P沟道
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS21311C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSN21319C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2年内
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4047LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:23.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1382pF@20V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@4.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4047LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1382pF@20V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@4.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSN21319C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6403
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€83W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:196nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9120pF@15V
连续漏极电流:21A€85A
类型:P沟道
导通电阻:3.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA483DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: