采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CP ROG
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
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漏源电压：60V
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输入电容：1250pF@30V
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类型：P沟道
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连续漏极电流：20A
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输入电容：1250pF@30V
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类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
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功率：66W
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导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：50A
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栅极电荷：140nC@10V
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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栅极电荷：140nC@10V
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输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
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栅极电荷：140nC@10V
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输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
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功率：4.8W€57W
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连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
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类型：P沟道
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连续漏极电流：50A
类型：P沟道
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类型：P沟道
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功率：4.8W€57W
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连续漏极电流：50A
类型：P沟道
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类型：P沟道
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