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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7613DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：8.7mΩ@17A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CH X0G
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7613DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：8.7mΩ@17A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CP ROG
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7613DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：8.7mΩ@17A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CP ROG
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7613DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：8.7mΩ@17A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7613DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：8.7mΩ@17A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CP ROG
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CP ROG
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7613DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：8.7mΩ@17A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CP ROG
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
